收藏本站
型号 IPI120N04S4-02
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
IPI120N04S4-02 PDF
代理商 IPI120N04S4-02
标准包装 500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 2.1 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 110µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 134nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 10740pF @ 25V
功率 - 最大 158W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装 PG-TO262-3
包装 管件
其它名称 IPI120N04S402AKSA1
SP000764742
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPI120N06S4-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IPI120N06S4-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IPI120N06S4-H1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IPI126N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
IPI12CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
IPI12CNE8N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
IPI139N08N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
IPI147N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
IPI14N03LA Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
IPI16CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3
IPI16CNE8N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3
IPI180N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
IPI200N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
IPI200N25N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
IPI22N03S4L-15 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
IPI25N06S3-25 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 25A TO-262
IPI25N06S3L-22 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 25A I2PAK
IPI26CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
IPI26CNE8N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3
IPI320N20N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3